NCE70R900K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道超级结功率MOSFET TO252
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 功率耗散: | 49W |
| 阈值电压Vgs(th): | 3V@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 3A |
| 包装: | Tape/reel |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 700V |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 6.20mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO252-2L |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 3.5pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 10nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 950mΩ |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 20nC |
| 漏源电压(Vdss): | 700V |
| 零件状态: | 在售 |