AO4800
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晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
双N沟道增强型场效应晶体管 SOIC8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 6.9A |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 1V |
| 极性: | N沟道 |
| 连续漏极电流: | 6.9A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 反向传输电容Crss: | 50pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 输入电容(Ci): | 630pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 导通电阻(RDS(on): | 27mΩ@10V,6.9A |
| 高度: | 1.65mm |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 2个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥1.8347 |
| 50+ | ¥1.4746 |
| 150+ | ¥1.3257 |
| 500+ | ¥1.0577 |
| 3000+ | ¥0.9665 |
| 包装：5 | 库存：100 |