NCE6005AR
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 功率耗散: | 2W |
| 阈值电压: | 2.5V |
| 包装: | Tape/reel |
| 原产地: | China |
| 连续漏极电流: | 5A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-223 |
| 元件生命周期: | Active |
| 反向传输电容Crss: | 100pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 22nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 22nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.9506 |
| 包装：1 | 库存：17 |