NCE6005AR

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
阈值电压:2.5V
额定功率:2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,5A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:5A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-223
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:100pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:22nC
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):22nC
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.9506
包装:1 库存:17