NCE6005AR

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT223-3L

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:60V
阈值电压:2.5V
额定功率:2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,5A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5A
封装/外壳:SOT-223
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):22nC
高度:1.80mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.9549
50+¥0.7383
500+¥0.5488
1000+¥0.5406
2500+¥0.4838
包装:5 库存:2538
价格梯度 价格
1+¥0.9506
包装:1 库存:23