NCE82H110D
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：200W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 击穿电压: | 82V |
| 阈值电压: | 4V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 7mΩ |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 110A |
| 长x宽/尺寸: | 10.16 x 8.92mm |
| 封装/外壳: | TO-263(D²Pak) |
| 漏极电流: | 1uA |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 82V |
| 栅极电荷(Qg): | 120nC |
| 高度: | 4.44mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 2Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.7555 |
| 10+ | ¥2.5050 |
| 30+ | ¥2.3380 |
| 100+ | ¥2.0875 |
| 500+ | ¥1.9706 |
| 1000+ | ¥1.8871 |
| 包装：1 | 库存：0 |