NCE82H110D

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):82V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):200W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
漏源电流(Idss):1uA
击穿电压:82V
阈值电压:4V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:110A
长x宽/尺寸:10.16 x 8.92mm
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
输入电容:6.4nF
Vgs(Max):20V
最小包装:800pcs
漏源电压(Vdss):82V
栅极电荷(Qg):120nC
高度:4.44mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:2Pin