2N7002KT

品牌
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
SOT-523塑料封装MOSFET VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V N-Channe

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
漏源电流(Idss):1µA
击穿电压:60V
功率耗散:150mW
阈值电压:2.5V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China
连续漏极电流:340mA
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-523-3
反向传输电容Crss:10pF
工作温度:+150℃(TJ)
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):60V
高度:0.90mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥0.1101
50+¥0.1018
200+¥0.0949
600+¥0.0881
1500+¥0.0826
3000+¥0.0791
包装:10 库存:0