NCE6008AS
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 2.2V@250µA |
| 额定功率: | 2.1W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 20mΩ@10V,8A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 8A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 98pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 38.5nC |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 38.5nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.6860 |
| 包装：1 | 库存：30 |