NCE3050K
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | NCE |
| 漏源电流(Idss): | 1uA |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 11mΩ@10V,25A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 50A |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 210pF |
| 工作温度: | -55℃~+175℃ |
| 充电电量: | 32.3nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | 20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 23nC |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.8296 |
| 50+ | ¥0.6414 |
| 500+ | ¥0.4768 |
| 1000+ | ¥0.4696 |
| 2500+ | ¥0.4555 |
| 包装：5 | 库存：3288 |