NCE3050K

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):60W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:NCE
击穿电压:30V
阈值电压:3V@250µA
额定功率:60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,25A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:50A
封装/外壳:TO-252(DPAK)
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:210pF
工作温度:-55℃~+175℃
配置:单路
原产国家:China
Vgs(Max):20V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):23nC
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.8042
50+¥0.6218
500+¥0.4622
1000+¥0.4552
2500+¥0.4075
包装:5 库存:3288