

CWS11N65AF
品牌

供应商

分类
分立半导体器件>>MOSFET>>CW,SJ-MOSFET
描述
650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
物料参数
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: | 300 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: | 360 |
最大漏极电流Id(on)(A):: | 11 |
驱动电压(V):: | 10 |
通道极性:: | N沟道 |
封装/温度(℃):: | TO-220F-3/-55~125 |
描述:: | 650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥6.4800 |
25+ | ¥6.2400 |
50+ | ¥6.0000 |
100+ | ¥5.7600 |
250+ | ¥5.5200 |
500+ | ¥5.2800 |
1000+ | ¥4.8000 |
包装:1 | 库存:0 |