CWS20N65AP8R
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分类
分立半导体器件>>MOSFET>>CW，SJ-MOSFET
物料参数
| 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：: | 650 |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：: | 170 |
| 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：: | 190 |
| 最大漏极电流Id(on)(A)：: | 20 |
| 驱动电压(V)：: | 10 |
| 通道极性：: | N沟道 |
| 封装/温度(℃)：: | PDFN8*8-4/-55~150 |
| 描述：: | 650V,190mΩ,20A,N 沟道超结功率 MOSFET |