HSBB4115
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：39A 功率(Pd)：52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,18A
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 阈值电压: | 1.6V@250μA |
| 额定功率: | 52.1W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 10.5mΩ@10V,18A |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 39A |
| 长x宽/尺寸: | 3.00 x 3.00mm |
| 封装/外壳: | PRPAK-8_3X3MM |
| 反向传输电容Crss: | 222pF@15V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 输入电容: | 3.5nF@15V |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 栅极电荷(Qg): | 27.9nC@4.5V |
| 高度: | 0.80mm |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 引脚数: | 5Pin |