KIA840SB
品牌
KIA
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 500V |
| 阈值电压: | 3V |
| 额定功率: | 100W |
| 原始制造商: | Shenzhen KIA Semiconductor Technology Co., Ltd. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 900mΩ@10V,4A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 8A |
| 封装/外壳: | TO-263(D²Pak) |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 800pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 500V |
| 高度: | 5.08mm |
| 引脚数: | 3Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |