RS30N100D

品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A TO252-3

物料参数

安装类型:SMT
品牌:REASUNOS
功率耗散:88W
阈值电压:1.5V
极性:N-沟道
连续漏极电流:100A
长x宽/尺寸:6.60 x 6.10mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
输入电容(Ci):2.6nF@15V
反向传输电容Crss:300pF@15V
工作温度:-55℃~+175℃(TJ)
漏源电压(Vdss):30V
导通电阻(RDS(on):3.1mΩ@10V,20A
栅极电荷(Qg):58nC@10V
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.9230
10+¥0.8520
30+¥0.8378
100+¥0.7952
包装:1 库存:0