HSBA15810C

品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK-8L(5x6)

物料参数

安装类型:SMT
品牌:HUASHUO
功率耗散:208mW
阈值电压:4V
原始制造商:HUASHUO SEMICONDUCTOR
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
原产地:China
连续漏极电流:100A
长x宽/尺寸:5.30 x 5.90mm
封装/外壳:PRPAK-8L(5x6)
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):100V
导通电阻(RDS(on):4.5mΩ@10V
零件状态:Active
高度:1.20mm
引脚数:8Pin
类型:1个N沟道