HSL6107
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 1.5W |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 2.5V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 140mΩ@10V,2A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 2.3A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.70 x 3.70mm |
| 封装/外壳: | SOT-223 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 4.6nC |
| 高度: | 1.80mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |