2N7002K

品牌
MSKSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:60V
功率耗散:350mW
阈值电压:1.6V
额定功率:350mW
包装:Tape/reel
连续漏极电流:300mA
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:12pF
工作温度:-50℃~+150℃
配置:单路
输入电容:38pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
栅极电荷(Qg):5.6nC
零件状态:Active
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0609
500+¥0.0487
3000+¥0.0386
6000+¥0.0345
9000+¥0.0335
包装:50 库存:3375