2N7002K

品牌
MSKSEMI
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW SOT23

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:60V
功率耗散:350mW
阈值电压:1.6V
极性:Bidirectional, Unidirectional
连续漏极电流:300mA
长x宽/尺寸:3.02 x 1.70mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:12pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):38pF
工作温度:-50℃~+150℃
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):2.2Ω@10V,300mA
栅极电荷(Qg):5.6nC
高度:1.15mm
零件状态:Active
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
50+¥0.0644
500+¥0.0511
3000+¥0.0436
6000+¥0.0393
24000+¥0.0351
51000+¥0.0328
包装:50 库存:470