HSU6004
品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：34.7W TO252
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 2.5V@250μA |
| 额定功率: | 34.7W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 30mΩ@10V,15A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 23A |
| 长x宽/尺寸: | 6.65 x 5.70mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 高度: | 2.40mm |
| 引脚数: | 3Pin |