BSS84

品牌
HUASHUO
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
SOT23 350mW

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:60V
功率耗散:350mW
阈值电压:2.5V
原始制造商:HUASHUO SEMICONDUCTOR
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
原产地:China
连续漏极电流:300mA
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):170pF
工作温度:-40℃~+150℃(TJ)
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):60V
导通电阻(RDS(on):6Ω@10V,200mA
零件状态:Active
引脚数:3Pin
类型:1个P沟道