GD25Q80ETIGR

品牌
GIGADEVICE
供应商
分类
存储器 > FLASH存储器
描述
E版本用的是12寸的晶元,55纳米的工艺

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
数据保留 - TDR(年):20年
存储容量:8Mbit
写周期寿命:100000次
页写入时间(Tpp):400μs
工作电压:2.7V~3.6V
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
封装/外壳:SOP-8
工作温度:-40℃~+85℃
最大时钟频率:133MHz
接口类型:SPI
待机电流:11μA
高度:1.45mm
块擦除时间(tBE):150ms@(32KB)
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.5680
10+¥1.5288
100+¥1.4994
包装:1 库存:52