HY19P03D
品牌
HUAYI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 50W |
| 阈值电压: | 3V@250μA |
| 额定功率: | 50W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 6mΩ@10V,45A |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 90A |
| 长x宽/尺寸: | 6.82 x 6.24mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 高度: | 2.30mm |
| 类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |