DP2301S
品牌
DOESHARE
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.3nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：177pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：25pF@10V 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj) PMOS -20V -2.3A RDS(on)=140mΩ