HY1210D
品牌
HUAYI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型MOSFET VDS=100V ID=26A TO252-2L
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | Huayi |
| 阈值电压: | 3V@250μA |
| 额定功率: | 50W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 36mΩ@10V,10A |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 26A |
| 长x宽/尺寸: | 6.60 x 6.10mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 高度: | 2.30mm |
| 类型: | 1个N沟道 |