SVS11N65FJD2
品牌
SILAN
供应商
分类
MOS(场效应管)
描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：23W(Tc) 类型：N沟道