AP6N090N

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.5A 功率(Pd):1.25W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:APEC
功率耗散:1.25W
原始制造商:Advanced Power Electronics Corp.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ
包装:Tape/reel
连续漏极电流:2.5A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT23S
反向传输电容Crss:32pF
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China Taiwan
输入电容:720pF
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):60V
高度:1.20mm
引脚数:3Pin