AP2306GN
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 功率耗散: | 1.38W |
| 阈值电压: | 1.25V@250μA |
| 原始制造商: | Advanced Power Electronics Corp. |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 30mΩ@10V,5.5A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 5.3A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 603pF |
| Vgs(Max): | ±12V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.5810 |
| 100+ | ¥0.5422 |
| 300+ | ¥0.5035 |
| 500+ | ¥0.4648 |
| 2000+ | ¥0.4454 |
| 5000+ | ¥0.4338 |
| 包装：1 | 库存：0 |