AP3P3R0MT
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 69.4W |
| 阈值电压: | 3V |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 3mΩ@10V,20A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 60A |
| 封装/外壳: | PMPAK5X6 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 认证信息: | RoHS,HF(halogen free) |
| 栅极电荷(Qg): | 76nC |
| 高度: | 1.30mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个P沟道 |