AP3N1R8MT

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40.6A 功率(Pd):5W PMPAK5X6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:APEC
功率耗散:83.3W
阈值电压:3V@250μA
无卤:Yes
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.89mΩ@10V,20A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:40.6A
长x宽/尺寸:4.90 x 5.75mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:PMPAK5X6
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:420pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
输入电容:4.85nF
Vgs(Max):±20V
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.10mm
类型:1个N沟道