AP3N1R8MT
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 阈值电压: | 3V@250μA |
| 额定功率: | 5W |
| 原始制造商: | Advanced Power Electronics Corp. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 40.6A |
| 封装/外壳: | PMPAK5X6 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 高度: | 1.10mm |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 8Pin |
| 类型: | 1个N沟道 |