AP3N1R8MT
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40.6A 功率(Pd)：5W PMPAK5X6
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 30V |
| 功率耗散: | 83.3W |
| 阈值电压: | 3V@250μA |
| 原始制造商: | Advanced Power Electronics Corp. |
| 无卤: | Yes |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 1.89mΩ@10V,20A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 40.6A |
| 封装/外壳: | PMPAK5X6 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 420pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 4.85nF |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0415 |
| 10+ | ¥1.8808 |
| 30+ | ¥1.8486 |
| 100+ | ¥1.7522 |
| 包装：1 | 库存：100 |