AP10P500N

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):1.2A 功率(Pd):1.38W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:APEC
阈值电压:3V@250μA
额定功率:1.38W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,1A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:1.2A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:25pF@50V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
输入电容:420pF@50V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):100V
栅极电荷(Qg):10.5nC@10V
类型:1个P沟道