AP9579GM
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7.3A 功率(Pd)：2.5W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 1.5V@250μA |
| 额定功率: | 2.5W |
| 原始制造商: | Advanced Power Electronics Corp. |
| 无卤: | Yes |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 18.2mΩ@10V,7A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 7.3A |
| 封装/外壳: | SOIC-8 |
| 元件生命周期: | Active |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 输入电容: | 5.92nF |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 40nC@4.5V |
| 零件状态: | Active |
| 类型: | 1个P沟道 |