BSS123

品牌
JSCJ
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=6Ω SOT23-3

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:100V
功率耗散:350mW
阈值电压:2.8V
极性:N-沟道
连续漏极电流:170mA
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:2pF
栅极源极击穿电压:±20V
输入电容(Ci):29pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
漏源电压(Vdss):100V
导通电阻(RDS(on):3.5Ω@10V
栅极电荷(Qg):1.4nC
高度:1.15mm
零件状态:Active
引脚数:3Pin
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
20+¥0.1456
200+¥0.1183
600+¥0.1034
3000+¥0.0929
包装:20 库存:73281