BSN20BKR
品牌
NEXPERIA
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
60 V, N-channel Trench MOSFET
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 漏源极电压（Vdss）: | 60V |
| 功率耗散: | 310mW |
| 阈值电压Vgs(th): | 1.4V@250µA |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 265mA |
| 包装: | Tape/reel |
| FET类型: | N沟道 |
| 存储温度: | -65~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 2.90 x 1.30mm |
| 封装/外壳: | SOT23 |
| 漏极电流Idss: | 265mA |
| 配置: | Single |
| 供应商器件封装: | TO-236AB（SOT23） |
| FET功能: | - |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 0.49nC |
| 功率耗散（最大值）: | 310mW（Ta） |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 功率(Max): | 310mW |
| 导通电阻Rds On(Max): | 2.8Ω |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃(TJ) |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1568 |
| 100+ | ¥0.1470 |
| 1000+ | ¥0.1372 |
| 3000+ | ¥0.1274 |
| 包装：1 | 库存：0 |