MTM763250LBF

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描述
MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-20V-1.7A-1A-700mW-表面贴装型-WS迷你型6-F1-B

物料参数

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A,1A
FET 功能:逻辑电平门
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):280pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
漏源电压(Vdss):20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
FET 类型:N 和 P 沟道
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):-