GWM160-0055X1-SLSAM
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
描述
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
物料参数
| 制造商: | IXYS |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停產 |
| FET 类型: | 6 N-沟道(3 相桥) |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压(Vdss): | 55V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 150A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.3 毫欧 @ 100A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 105nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 17-SMD,扁平引线 |
| 供应商器件封装: | ISOPLUS-DIL™ |
| 基本产品编号: | GWM160 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥21.4400 |
| 10+ | ¥16.0290 |
| 100+ | ¥14.3375 |
| 包装:1 | 库存:0 |