IPP80N06S2L-06
品牌
供应商
分类
FET - 单
物料参数
| PCN过时产品/EOL: | Multiple Devices 20/Jul/2015 |
| PCN组件/产地: | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 |
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | FET - 单 |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| FET类型: | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 55V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 80A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 6.3 毫欧 @ 69A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 2V @ 180µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: | 150nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）: | 3800pF @ 25V |
| 功率-最大值: | 250W |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-3-1 |
| 其它名称: | IPP80N06S2L06AKSA1SP000218824 |