GS66506T-E01-TY
品牌
GAN SYSTEMS
供应商
分类
Semiconductores>>Semiconductores discretos>>Transistores>>MOSFET
描述
MOSFET 650V 22A E-Mode GaN Preproduction Units
物料参数
| Categoríadeproducto: | MOSFET |
| Fabricante: | GaNSystems |
| Tecnología: | GaN |
| Estilodemontaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | GaNPX-4 |
| Polaridaddeltransistor: | N-Channel |
| Vds-Tensióndisruptivaentredrenajeyfuente: | 650V |
| Id-Corrientededrenajecontinua: | 22A |
| RdsOn-Resistenciaentredrenajeyfuente: | 73mOhms |
| Vgsth-Tensiónumbralentrepuertayfuente: | 1.6V |
| Vgs-Tensiónentrepuertayfuente: | 10V |
| Qg-Cargadepuerta: | 4.9nC |
| Modocanal: | Enhancement |
| Empaquetado: | Tray |
| Marca: | GaNSystems |
| Altura: | 0.54mm |
| Longitud: | 5.55mm |
| MoistureSensitive: | Yes |
| Producto: | MOSFET |
| Serie: | GS66506 |
| Cantidaddeempaquedefábrica: | 200 |
| Ancho: | 4.48mm |