IPL65R650C6SATMA1
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
物料参数
| 制造商: | Infineon Technologies |
| 系列: | CoolMOS™ C6 |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 有源 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 650 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 210µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 56.8W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | Thin-PAK（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 440 pF @ 100 V |
| 基本产品编号: | IPL65R650 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5000+ | ¥0.7224 |
| 10000+ | ¥0.6985 |
| 包装：5000 | 库存：0 |