EPC2036ENGRT

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单

物料参数

类别:分立半导体产品
制造商:EPC
系列:-
包装:Digi-Reel®
零件状态:停產
FET类型:N 沟道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):100V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.7A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 600µA
Vgs(最大值):+6V,-4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):90pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:模具
封装/外壳:模具