IXFE73N30Q
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
物料参数
| 制造商: | IXYS |
| 系列: | HiPerFET™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 66A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 46 毫欧 @ 36.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 4mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 400W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | SOT-227B |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 漏源电压（Vdss）: | 300 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 190 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6400 pF @ 25 V |
| 基本产品编号: | IXFE73 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥16.1720 |
| 包装：10 | 库存：0 |