PHC2300,118
品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Nexperia USA Inc. |
| 系列: | - |
| 包装: | 带卷（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | N 和 P 沟道 |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 300V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 340mA，235mA |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 2V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 6.24nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 102pF @ 50V |
| 功率-最大值: | 1.6W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |