C3M0065100J
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分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC TO-263-7
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 35 A |
| 最大漏源电压: | 1000 V |
| 封装类型: | TO-263 |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 7 |
| 最大漏源电阻值: | 65 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 3.5V |
| 最小栅阈值电压: | 1.8V |
| 最大功率耗散: | 113.5 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -8 V 、 19 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 高度: | 4.57mm |
| 宽度: | 9.12mm |
| 晶体管材料: | SiC |
| 长度: | 10.23mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 35 常闭 @ 4/15V |
| 最高工作温度: | +150 °C |