DMN2015UFDF-7
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                  达尔
                  
                
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                分类
                
                   半导体>>分立半导体>>MOSFET
                
              描述 
                
                  DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 12.2(状态)A,15.2(稳定)A, 6引脚 U-DFN2020封装
                
              物料参数
| 通道类型: | N | 
| 最大连续漏极电流: | 12.2(状态)A,15.2(稳定)A | 
| 最大漏源电压: | 20 V | 
| 封装类型: | U-DFN2020 | 
| 安装类型: | 表面贴装 | 
| 引脚数目: | 6 | 
| 最大漏源电阻值: | 50 mΩ | 
| 通道模式: | 增强 | 
| 最大栅阈值电压: | 1.2V | 
| 最小栅阈值电压: | 0.4V | 
| 最大功率耗散: | 1.8 W | 
| 晶体管配置: | 单 | 
| 最大栅源电压: | ±12 V | 
| 每片芯片元件数目: | 1 | 
| 宽度: | 2.05mm | 
| 最低工作温度: | -55 °C | 
| 汽车标准: | AEC-Q101 | 
| 典型栅极电荷@Vgs: | 42.3 nC @ 10 V | 
| 高度: | 0.58mm | 
| 最高工作温度: | +150 °C | 
| 长度: | 2.05mm | 
| 正向二极管电压: | 1.2V |