DMC3071LVT-7
品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
达尔 MOSFET, N/P沟道沟道, 双, Vds=30 V, 2.6（（状态）P 沟道）A，3.3（（稳定）P 沟道）A，3.6（（状态）N 沟道）A，4.6（（稳定）N 沟道）A, 6引脚 TSOT-26封装
物料参数
| 通道类型: | N，P |
| 最大连续漏极电流: | 2.6（（状态）P 沟道）A，3.3（（稳定）P 沟道）A，3.6（（状态）N 沟道）A，4.6（（稳定）N 沟道）A |
| 最大漏源电压: | 30 V |
| 封装类型: | TSOT-26 |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 6 |
| 最大漏源电阻值: | 90 (NChannel) mΩ, 140 (PChannel) mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V |
| 最小栅阈值电压: | 1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V |
| 最大功率耗散: | 1.1 W |
| 最大栅源电压: | ±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V |
| 每片芯片元件数目: | 2 |
| 高度: | 0.9mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 长度: | 3mm |
| 宽度: | 1.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 4.5 nC @ 10 V（N 沟道），6.5 nC @ 10 V（P 沟道） |