DMN3020UTS-13
品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
达尔 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 12（状态）A，15（稳定）A, 8引脚 TSSOP封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 12（状态）A，15（稳定）A |
| 最大漏源电压: | 30 V |
| 封装类型: | TSSOP |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 8 |
| 最大漏源电阻值: | 50 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 1V |
| 最小栅阈值电压: | 0.4V |
| 最大功率耗散: | 1.4 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | ±12 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 3.1mm |
| 长度: | 4.5mm |
| 正向二极管电压: | 1.2V |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 汽车标准: | AEC-Q101 |
| 高度: | 1.02mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 27 nC @ 8V |
| 最高工作温度: | +150 °C |