DMT10H017LPD-13
品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=100 V, 43.7（状态）A，54.7（稳定）A, 8引脚 PowerDI5060封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 43.7（状态）A，54.7（稳定）A |
| 最大漏源电压: | 100 V |
| 封装类型: | PowerDI5060 |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 8 |
| 最大漏源电阻值: | 30.3 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 3V |
| 最小栅阈值电压: | 1V |
| 最大功率耗散: | 78 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | ±20 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 5.1mm |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 长度: | 6mm |
| 正向二极管电压: | 1.3V |
| 汽车标准: | AEC-Q101 |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 28.6 nC @ 10V |
| 最高工作温度: | +175 °C |
| 高度: | 1.05mm |