DMP45H21DHE-13
品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
达尔 MOSFET, P沟道, Vds=450 V, 0.4（状态）A，0.6（稳定）A, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
物料参数
| 通道类型: | P |
| 最大连续漏极电流: | 0.4（状态）A，0.6（稳定）A |
| 最大漏源电压: | 450 V |
| 封装类型: | SOT-223 |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值: | 21 o |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 5V |
| 最小栅阈值电压: | 3V |
| 最大功率耗散: | 12.5 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | ±30 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 宽度: | 3.55mm |
| 高度: | 1.65mm |
| 长度: | 6.55mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 正向二极管电压: | 1.2V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 4.2 nC @ 10V |