BSZ520N15NS3G
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 NMOS, MOSFET, OptiMOS 3系列, Vds=150 V, TSDSON封装, 21 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 21 A |
| 最大漏源电压: | 150 V |
| 封装类型: | TSDSON |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 8 |
| 最大漏源电阻值: | 52 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最小栅阈值电压: | 2V |
| 最大功率耗散: | 57 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 3.4mm |
| 长度: | 3.4mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 8.7 nC @ 10 V |
| 高度: | 1.1mm |
| 晶体管材料: | Si |
| 系列: | OptiMOS 3 |
| 最低工作温度: | -55 °C |