IRF6710S2TR1PBF
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=25 V, 12 A, 7引脚 DirectFET S1封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 12 A |
| 最大漏源电压: | 25 V |
| 最大漏源电阻值: | 6 mΩ |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | DirectFET S1 |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 7 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 1.8 W |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 长度: | 4.85mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 8.8 nC @ 4.5 V |
| 典型关断延迟时间: | 5.2 ns |
| 典型输入电容值@Vds: | 1190 pF @ 13 V |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 典型接通延迟时间: | 7.9 ns |
| 最高工作温度: | +175 °C |
| 高度: | 0.66mm |
| 尺寸: | 4.85 x 3.95 x 0.66mm |
| 宽度: | 3.95mm |