BSC093N04LSG
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌, OptiMOS 3系列, 场效应管Mosfet, NMOS, TDSON封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 49 A |
| 最大漏源电压: | 40 V |
| 封装类型: | TDSON |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 8 |
| 最大漏源电阻值: | 13.7 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 2V |
| 最小栅阈值电压: | 1.2V |
| 最大功率耗散: | 2.5 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 8.6 nC @ 4.5 V |
| 晶体管材料: | Si |
| 宽度: | 5.35mm |
| 长度: | 6.35mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 每片芯片元件数目: | 1 |