IRF6643TR1PBF
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET 晶体管, N沟道, Vds=150 V, 6.2 A, 7引脚 DirectFET MZ封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 6.2 A |
| 最大漏源电压: | 150 V |
| 最大漏源电阻值: | 35 mΩ |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | DirectFET MZ |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 7 |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大功率耗散: | 2800 mW |
| 长度: | 5.45mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最低工作温度: | -40 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 10 V 时，39 常闭 |
| 宽度: | 5.05mm |
| 高度: | 0.6mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |