DMTH6016LK3-13
品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
达尔 MOSFET, N沟道, Vds=60 V, 33.2（状态）A，46.9（稳定）A, 3 + Tab引脚 TO-252 (DPAK)封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 33.2（状态）A，46.9（稳定）A |
| 最大漏源电压: | 60 V |
| 封装类型: | TO-252 (DPAK) |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值: | 24 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 3V |
| 最小栅阈值电压: | 1V |
| 最大功率耗散: | 60 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | ±20 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 高度: | 2.26mm |
| 宽度: | 6.2mm |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 汽车标准: | AEC-Q101 |
| 正向二极管电压: | 1.2V |
| 长度: | 6.7mm |
| 最高工作温度: | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 17 nC @ 10V |