NTLJF3117PT1G

品牌
ON
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=3.3A RDS(ON)=100mΩ@4.5V WDFN6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:ON
技术:MOSFET (Metal Oxide)
原始制造商:ON Semiconductor
阈值电压Vgs(th):1V@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:3.3A
极性:P-沟道
长x宽/尺寸:2.00 x 2.00mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:WDFN6_2X2MM_EP
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
系列:µCool™
FET功能:肖特基二极管(隔离式)
栅极电荷(Qg)(Max):6.2nC@4.5V
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
漏源电压(Vdss):20V
高度:0.80mm
晶体管类型:P沟道